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　　超薄石墨烯薄膜的特性使其成為該小組理想的基板材料，它具備優異的柔韌性和卓越的機械強度，甚至能在超過1000℃高溫的環境下保持杰出的物理和化學穩定性。穩定且不活躍的石墨烯表面提供了少量的成核位置，有利于氮化鎵在石墨烯表面生長成理想的三維微型棒狀結構。

　　“而微觀甚至納米結構下的氮化鎵，由于易于高密度集成并具備杰出的變色發光能力，得到了材料研究界的廣泛關注。”伊圭哲補充道，“當它們與石墨烯基板結合后，就能極好地承受機械形變，進一步提升應用價值。”

　　為了真正用氮化鎵在石墨烯基板上制造出微型LED，研究小組使用了一種于2002年自主發明的無催化劑的有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)。伊圭哲表示：“這項技術的關鍵是要在維持高結晶度的情況下控制摻雜，使其形成異質結構和量子結構并垂直對齊生長于底層基板上。”

　　隨后，研究小組將特制而成的氮化鎵LED細棒植入石墨烯表面進行了測試，結果發現，這種能彎曲的LED在通電后具有優異且可靠的發光能力，甚至在1000次彎折測試后，材料的發光性能依舊沒有明顯的退化。也許不久后，可隨意折疊變形的LED屏幕就會出現在大街小巷，甚至穿戴在我們自己身上。

　　這項成果無疑是一項重大技術突破，也為下一代電子和光電器件找到了大規模、低成本工業化生產的可能手段。而石墨烯薄膜在材料領域的廣泛應用，也將會催生更多強強聯合的卓越材料，拉近我們與新時代的距離。