透明屏蔽材料是一類兼具透光性和電磁屏蔽性能的優(yōu)良材料。其中薄膜型的透明屏蔽材料以其透光性好、外表美觀、無繞射干擾的優(yōu)點(diǎn)，在EMI/EMC及TEMPEST領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，但同時(shí)也存在屏蔽頻段寬度窄，屏蔽效能較低的不足。因此，如何得到寬頻段，高效能的透明屏蔽薄膜材料，是該領(lǐng)域中長(zhǎng)期研究的重點(diǎn)。
本文研究采用磁控濺射法在玻璃襯底上制備氧化銦錫(ITO)透明屏蔽薄膜。所用的靶材是高純度(99.99%)的氧化銦錫(wt.90%In2O3+wt.10%SnO2)陶瓷靶。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、X射線能譜儀(EDS)、膜厚測(cè)試儀、四探針電阻測(cè)試儀、屏蔽效能測(cè)試等試驗(yàn)手段對(duì)沉積的薄膜樣品進(jìn)行表征,結(jié)論如下：
(1)薄膜透明屏蔽性能與襯底溫度、濺射氧氣壓,薄膜厚度密切相關(guān)。在襯底溫度350℃，氧氬比0.5/50時(shí)獲得的薄膜性能最好；ITO薄膜樣品的SEM表明,樣品表面較平整,且晶粒也比較致密;薄膜透光率超過80%，電阻率低至1.17×10-4?·cm。
(2)隨薄膜厚度增加,透光率下降而屏蔽效能上升。薄膜的厚度在200nm時(shí)，薄膜的屏蔽效能在150KHz~10GHz全頻段內(nèi)超過20dB，屏蔽效能的峰值達(dá)到50dB左右，且透光率88%，具有較好的透光屏蔽性能。
(3)襯底單面沉積ITO/SiO2/ITO薄膜、襯底雙面沉積均沉積ITO薄膜、襯底單面沉積單層ITO薄膜，三種情況ITO總厚度相同。多層薄膜由于界面散射增多，透光率比單層鍍膜低一些；多層鍍膜由于界面反射損耗的增加，起到增加屏蔽效能的作用。
