由臺灣中央大學(xué)光電系陳升暉教授帶領(lǐng)的萌芽新創(chuàng)團(tuán)隊Microluce近期發(fā)表Micro LED磊晶技術(shù)，透過高能物理在低溫狀態(tài)下即可長出高品質(zhì)氮化鎵薄膜，完全拋棄主流的巨量轉(zhuǎn)移制程，成本僅是現(xiàn)有微發(fā)光二極體顯示器的十分之一，具有量產(chǎn)潛力，相關(guān)技術(shù)已獲得了臺灣及美國專利。
▲由臺灣中央大學(xué)光電系陳昇暉教授（中）、詹世豪博士（左）和曾少澤博士（右）所帶領(lǐng)的萌芽新創(chuàng)團(tuán)隊發(fā)布創(chuàng)新的Micro LED磊晶技術(shù)，透過高能物理的方式，在「低溫」?fàn)顟B(tài)下即可長出高品質(zhì)的氮化鎵薄膜。(臺灣中央大學(xué)提供)
巨量轉(zhuǎn)移是現(xiàn)今Micro LED顯示器最重要的步驟，已發(fā)展近十年，但該團(tuán)隊認(rèn)為巨量轉(zhuǎn)移是錯誤方向，主要因現(xiàn)今的LED晶粒須覆晶制程及結(jié)構(gòu)弱化等程序，藍(lán)綠光材料是氮化鎵，紅光材料是砷化鎵，兩種材料的驅(qū)動電壓不同，驅(qū)動電路將造成困難，尤其成本考量上，壞點(diǎn)修復(fù)問題不易克服，因此難以量產(chǎn)。
該團(tuán)隊透過高能物理的方式，突破以往一千度以上的高溫限制，在低溫狀態(tài)下即可長出高品質(zhì)的氮化鎵薄膜，溫度可控制在500至700度左右；面版尺寸可從2英吋至12英吋，可隨著制程設(shè)備等比例放大，并結(jié)合大數(shù)據(jù)分析，找出最佳磊晶模式。
現(xiàn)今巨量轉(zhuǎn)移2K畫素的MicroLED面板成本高于33萬臺幣，該團(tuán)隊自主開發(fā)的磊晶板，搭配奈米材料技術(shù)可達(dá)到全彩化的微發(fā)光二極體顯示效果，一片面板的成本僅現(xiàn)有的十分之一，深具量產(chǎn)潛力。
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